SK海力士为引进TEL极低温蚀刻设备进行测试

特气网消息：SK hynix正在以将测试晶片发送给东京electron (TEL)的方式测试极低温(Cryo)蚀本设备。TEL的新蚀刻设备与现有的蚀刻设备相比，具有碳排放少、蚀刻速度快的优点。业界预测，TEL的极低温蚀刻设备将从400段以上的nand产品开始使用。

5月1日，据业界透露，SK hynix作为新一代工程装备，正在测试TEL的极低温蚀刻装备。根据该测试结果，今后将决定引进极低温蚀刻设备。

熟悉SK海力士事件的一位相关人士解释说:“作为新一代蚀本设备，正在考虑TEL的新设备，进行各种测试。但没有引进TEL的设备，正在以发送晶片的方式进行测试。”

TEL新一代蚀刻设备的最大特点是在极低温(漆勒温度标准为零下70℃)下高速进行蚀刻。现有蚀刻装备的蚀刻工程温度为0℃至30℃。TEL在去年6月通过有关新一代蚀刻设备的论文解释说，在33分钟内就可以进行10微米(微米)的蚀刻。这比现有装备快了3倍以上。TEL新设备用于Oxide蚀刻。

半导体元件业界相关人士表示:“sk海力士的321团nand产品适用triple堆栈,tel的新增如果使用蚀刻设备,以此稳定,预计可以减少”,“根据装备再现400团以上产品在单曲堆栈不去不去,双堆栈将决定”。

三星电子、SK海力士等企业正在讨论使用极低温蚀刻设备的另一个原因是碳减排。现有的蚀本工程使用的是全球变暖指数(GWP)较高的氟碳(CF)系列天然气，但TEL的新一代蚀本设备使用的是GWP不到1的氟化氢(HF)气体。四氟化碳(CF4)和八氟化撒碳(C4F8)的GWP分别为6030和9540。GWP比氟化氢高出数千倍以上。

另外，与SK海力士不同，三星电子将TEL的新一代设备以演示版的形式引进，目前正在进行测试。

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