三星、SK海力士率先用氩气替代氪气与氙气

据韩媒证实，三星电子、SK海力士等存储芯片巨头正在推行用氩气替代3D NAND深孔蚀刻中使用的动量气体的计划。对于现有的3D NAND深孔蚀刻，三星电子使用氙气，SK海力士使用氪气。俄乌战争的影响更加坚定了这两家半导体大厂使用氩气替代氙和氪。

在3D NAND中钻沟道孔的过程中使用氙气和氪气等动量气体。具体地，它被用于将用于将氧化层蚀刻到深孔中的蚀刻气体。迄今为止，存储半导体公司均采用低反应性惰性气体(氙、氪)作为动量气体。该工艺旨在最大限度地减少蚀刻期间的意外反应。氩气也是一种情性气体。

韩国特气行业人士表示，“真正引入氩气的时间点将是日本东京电子(TEL)引进新蚀刻设备时。"他补充说，“目前(三星电子)正在使用一些氩气用于第七代NAND深孔刻蚀，但数是有限，“微平其微"，他说。他继续说道，"如果引进TEL的新刻蚀设备，氙气、氪气等稀有气体的使用量将大幅减少"，“据了解，三星电子将从第10代NAND产品或之后开始使用。”

TEL相关人士还表示，下一代蚀刻设备使用氩气、碳氧化合物(CF)基气体以及新配方的气体。

TEL目前正在开发的下一代刻蚀设备预计将用于300层或以上的NAND产品。目前，TEL的新型刻蚀设备已被引进三星电子半导体研究中心，据报道正在进行各种测试。新型蚀刻设备的最大特点之一是蚀刻是在极低的温度下进行的。它还配备了直流(DC)脉冲。

TEL在去年6月举行的公布2024财年第一季度(2023年4月至2023年6月)业绩的电话会议上表示，使用低温蚀刻，可以一次蚀刻超过128层，预计设备开发的业绩将有助于TEL市场份额的扩大。

特气行业人士解释说，选择氩气作为替代材料是因为价格和供需因素，而不是性能方面。他补充道:即使在TEL设备中使用氩气作为动力气体，该过程也不存在重大问题。

韩国业界表示，如果国内存储半导体企业采用TEL的新型刻蚀设备，泛林预计将遭受重大打击。泛林的刻蚀设备主要用于现有的NAND深孔刻蚀。

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